Niepokonane HDD
28 października 2009, 12:07Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD).
Wielki sukces Chin na rynku superkomputerów
20 czerwca 2016, 11:13Nowy chiński superkomputer, Sunway TaihuLight, znalazł się na czele najnowszej listy TOP500. Wydajność maszyny w teście Linpack wyniosła 93 petaflopsy, jest więc trzykrotnie większa od dotychczasowego lidera, również chińskiego Tianhe-2. Jednak tym, o czym należy przede wszystkim wspomnieć, jest fakt, że Sunway TaihuLight to w pełni chińska konstrukcja
Pamięć doskonała?
18 września 2007, 11:40Naukowcy z University of Pennsylvania opracowali nanokable, które są w stanie przechowywać dane przez 100 000 lat i odczytywać je tysiąckrotnie szybciej, niż obecnie wykorzystywane układy flash czy miniaturowe dyski twarde. Ponadto do pracy potrzebują mniej energii i zajmują mniej miejsca.
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Intel pokaże pamięci PRAM
16 kwietnia 2007, 10:10Justin Rattner, główny technolog Intela, ma dokonać w bieżącym tygodniu pierwszej publicznej demonstracji działania intelowskich pamięci zmiennofazowych (PRAM – phase-change RAM). Pokaz będzie miał miejsce podczas odbywającego się właśnie Intel Developer Forum (IDF).
Początek sprzedaży układów DDR3
27 kwietnia 2007, 10:45Japońska filia Buffalo Technology poinformowała o rozpoczęciu sprzedaży pierwszych na rynku układów pamięci DDR3. Co prawda ich ceny odstraszają, a płyty główne zdolne do współpracy z nimi dopiero się pojawią, ale Buffalo wierzy, że dla zapalonych graczy nie stanowi to przeszkody.
Napięcie udoskonala MeRAM
17 grudnia 2012, 11:02Inżynierowie z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Los Angeles (UCLA) zastąpili przepływ elektronów napięciem elektrycznym i dokonali w ten sposób znacznego udoskonalenia pamięci MeRAM (magnetoelektryczna pamięć o swobodnym dostępie). MeRAM może w przyszłości zastąpić obecnie stosowane technologie pamięci
Pierwsze 3D Vertical NAND
6 sierpnia 2013, 10:35Samsung rozpoczął masową produkcję pierwszych układów 3D Vertical NAND (V-NAND). Nowe rozwiązanie pozwala na pokonanie ograniczeń skalowania pojemności obecnie wykorzystywanych NAND
Pierwsza 3-bitowa pamięć zmiennofazowa
17 maja 2016, 12:00Naukowcy z IBM Research zaprezentowali pierwszy na świecie stabilny układ pamięci PCM (phase-change memory - pamięć zmiennofazowa), w którym można przechowywać 3 bity w komórce.
Iterb nadzieją na budowę rozległych sieci kwantowych
24 lipca 2018, 12:57Zanim kwantowe systemy komunikacyjne i kryptograficzne staną się codziennością, naukowcy będą musieli pokonać wiele problemów. Jednym z nich jest stworzenie układów pamięci zdolnych do bezpiecznego przechowywania kwantowych informacji przenoszonych za pomocą światła.
